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功率半導(dǎo)體行業(yè)梳理

來源:國(guó)金投行產(chǎn)業(yè)觀察 ??2018-08-16 閱讀:794
 一、功率半導(dǎo)體介紹
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制 等,因此廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、新能源交通等領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體可以分為功率分立器件和功率IC兩大類,功率IC相當(dāng)于SOC,屬于模擬IC的范疇。我們以下討論的功率半導(dǎo)體特指功率半導(dǎo)體分立式器件,主要包括二極管、晶閘管、BJT、MOSFET、IGBT及模塊這幾類,功率模塊相當(dāng)于SIP(System In a Package,系統(tǒng)級(jí)封裝)。根據(jù)Yole的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),在2017全球功率分立器件和模塊市場(chǎng)中,二極管約占20%,MOSFET約占40%,IGBT及功率模塊約占30%,三者合計(jì)占比達(dá)到90%。
MOSFET和IGBT是目前最常用的兩種功率半導(dǎo)體分立器件,MOSFET的應(yīng)用電壓相對(duì)較低,范圍從十幾伏到1000V。IGBT可承受高電壓,但是延遲時(shí)間要大于MOSFET,因此IGBT一般應(yīng)用在切換頻率低于25kHz的設(shè)備,而MOSFET可以應(yīng)用于切換頻率大于100kHz的設(shè)備。

二、市場(chǎng)規(guī)模和驅(qū)動(dòng)力
據(jù)Yole數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),2017年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模超300億美元,其中功率分立器件和模塊市場(chǎng)規(guī)模約為150億美元,功率IC約為200億美元,預(yù)計(jì)功率分立器件2016-2021復(fù)合年增長(zhǎng)率為3.1%,功率IC 2016-2021復(fù)合年增長(zhǎng)率為3.4%,功率模塊2016-2021復(fù)合年增長(zhǎng)率為7.0%。
根據(jù)IHS統(tǒng)計(jì),2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的下游應(yīng)用中,工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)占比為34%,汽車應(yīng)用市場(chǎng)占比23%,消費(fèi)電子應(yīng)用占比為20%,無線通訊應(yīng)用占比為23%。
 
未來新能源汽車將成為驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)最重要的動(dòng)力。在新能源汽車領(lǐng)域,IGBT主要運(yùn)用于電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)和充電樁。傳統(tǒng)燃油車的電力供應(yīng)主要由汽車怠速以上運(yùn)轉(zhuǎn)帶動(dòng)發(fā)電機(jī)發(fā)電實(shí)現(xiàn)電力供應(yīng),新能源汽車將新增大量與電池能源轉(zhuǎn)換相關(guān)的功率半導(dǎo)體器件。根據(jù)strategic analysis的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的半導(dǎo)體用量為338美金/車,電動(dòng)汽車的半導(dǎo)體用量達(dá)到了704美金,增長(zhǎng)幅度達(dá)到108%,電動(dòng)車新增的半導(dǎo)體用量集中在功率器件產(chǎn)品,單輛汽車將新增282美金的功率器件用量,功率器件在單輛車的半導(dǎo)體用量占比從汽油車的21%提升至電動(dòng)車的55%。根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)顯示,2017年我國(guó)新能源汽車全年累計(jì)總銷量77.7萬輛,同比增長(zhǎng)53%,預(yù)計(jì)2020年之前新能源汽車銷量同比增速保持在40%以上,2020年國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量將超過200萬輛,根據(jù)這個(gè)測(cè)算,按照平均每輛車10萬生產(chǎn)成本,功率半導(dǎo)體占比10%計(jì)算,2018-2020年,新能源車帶來的市場(chǎng)空間將有500億元左右。
2017年以來,全球半導(dǎo)體行業(yè)刮起的缺貨風(fēng)潮正在擴(kuò)大范圍,從存儲(chǔ)器、硅晶圓一路擴(kuò)展到MOSFET、MCU等產(chǎn)品領(lǐng)域,導(dǎo)致了交貨期的延長(zhǎng)與漲價(jià)。根據(jù)TTBank統(tǒng)計(jì),一般情況下,MOSFET、整流管和晶閘管的交貨周期在8~12周左右,從2016年下半年開始,意法半導(dǎo)體、威世(Vishay)等主流廠商的MOSFET,交貨期已經(jīng)拉長(zhǎng)到30~40周。MOSFET的價(jià)格也開始上浮,2017年9月1日,長(zhǎng)電科技通知將公司所有的MOSFET價(jià)格上調(diào)20%;無錫新潔能也發(fā)布通知,決定從2018年元旦起對(duì)MOSFET各系產(chǎn)品執(zhí)行2018年價(jià)格,漲價(jià)幅度在10%左右。
 
三、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
全球功率半導(dǎo)體巨頭主要集中美國(guó)、歐洲、日本三個(gè)地區(qū),IGBT、中高壓MOSFET等高端器件主要由歐美日廠商占據(jù)。其中:
美國(guó)處于世界領(lǐng)先地位,擁有一批具有全球影響力的巨頭廠商,包括TI、Fairchild、Maxim、ADI、ON Semiconductor和Vishay等廠商;
歐洲擁有Infineon(英飛凌)、ST(意法半導(dǎo)體)和NXP(恩智浦)三家全球半導(dǎo)體大廠;
日本主要有Toshiba、Renesas、Rohm、Matsushita、FujiElectric等;
大陸、臺(tái)灣地區(qū)廠商主要集中在二極管、晶閘管、低壓MOSFET等低端功率器件領(lǐng)域,臺(tái)灣有富鼎先進(jìn)、茂達(dá)、安茂、致新和沛亨等廠商,大陸比較領(lǐng)先的有吉林華微電子、蘇州固锝電子、無錫華潤(rùn)華晶微電子、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子等企業(yè)。
從細(xì)分市場(chǎng)來看,IGBT和MOSFET市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局比較集中,根據(jù)HIS統(tǒng)計(jì),2016年英飛凌、三菱、富士三家合計(jì)占有IGBT 60%以上的市場(chǎng)份額。MOSFET市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局同樣比較集中,2016年五大廠商占據(jù)了63%的市場(chǎng)份額。
近年來,歐美巨頭把戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移到高壓MOSFET、IGBT等高端產(chǎn)品上,逐步退出中低端市場(chǎng),同時(shí)臺(tái)灣廠商又進(jìn)展較慢,給中國(guó)大陸企業(yè)提供了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。從去年年底至今,國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多個(gè)項(xiàng)目開始啟動(dòng),2017年12月,士蘭微發(fā)布公告將在廈門建設(shè)兩條12英寸特色工藝生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品為MEMS和功率半導(dǎo)體;2018年1月,華潤(rùn)微宣布將在重慶打造全國(guó)最大的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地;2018年5月,中芯國(guó)際正式啟動(dòng)紹興廠的建設(shè),項(xiàng)目總投資58.8億元,將引進(jìn)一條8英寸生產(chǎn)線,面向MEMS和功率器件集成電路領(lǐng)域的代工生產(chǎn)。
標(biāo)簽: 半導(dǎo)體

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